ASTM F1238-1995(2003) 微电子设备用耐熔硅化物溅射电极

作者:标准资料网 时间:2024-05-15 05:11:13  浏览:8782   来源:标准资料网

【英文标准名称】:StandardSpecificationforRefractorySilicideSputteringTargetsforMicroelectronicApplications
【原文标准名称】:微电子设备用耐熔硅化物溅射电极
【标准号】:ASTMF1238-1995(2003)
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:1995
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.17
【标准类型】:(Specification)
【标准水平】:()
【中文主题词】:微电子学;硅化物;阴极;耐熔制品
【英文主题词】:density;microelectronics;molybdenum;disilicide;refractorysilicides;sputtering;sputteringtargets;tantalumdisilicide;titaniumdisilicide;tungstendisilicide
【摘要】:1.1Thisspecificationcoverssputteringtargetsfabricatedfrommetallicsilicides(molybdenumsilicide,tantalumsilicide,titaniumsilicide,andtungstensilicide).Thesetargetsarereferredtoasrefractorysilicidetargets,andareintendedforuseinmicroelectronicapplications.1.2ThevaluesstatedinSIunitsareregardedasstandard.
【中国标准分类号】:L35
【国际标准分类号】:31_100
【页数】:2P.;A4
【正文语种】: